<video id="mejzf"></video>
        >> 中文簡體     
      New Products  
      Home  >> Technic >> Text

      CMOS technology breakthrough in the current limit of transistor technology

      www.gdqfk.com 2008-4-7


      Freescale Semiconductor company's ITFET (Inverted T Channel-Field 

      Effect Transistor) technology make it come true that a single 

      transistor can be both in the combination of vertical and planar 

      thin body structure, which overcome a vertical multi-gate 

      transistors challenges faced in many design and production, 

      and is expected to open up high performance, low power, small 

      size of the next-generation semiconductor devices. By combining 

      the CMOS’ stability and vertical and low leakage current advantages, 

      the technology end of the vertical planar CMOS and CMOS between 

      the controversy, so it achieve the comprehensive advantages of the 

      two in a single device. As in the vertical channel planar areas 

      mixes silicon, increase the channel width, ITFET vertical planar 

      areas provide enhanced current capability, which reduces 

      parasitic resistance and enhancing the mechanical stability of 

      the vertical channel. Compared with traditional CMOS, the technology 

      can achieve more gate, greater drive current, which reduces 

      leakage current than planar thin body and vertical multi-gate 

      CMOS .CMOS has many advantages, such as: lower leakage current , 

      lower parasitic capacitance and higher on-current, etc.The 

      ITFET technology plan based on the application of 45 nm or above 

      high-end devices.

       <<Back: Nothing
       >>Next: Nothing
      Copyright©2003- Shenzhen Huajingda Electronic Co., Ltd. All Right Reserved. YUE-ICP-06054581   Stat.    Powered by  CNebuyer  
      亚洲自偷图片自拍图片,亚洲愉拍自拍另类天堂,欧美一级高清app乚e,综合图区 第1页动漫图片,亚洲色国产日韩|综合网~中文字幕在线|欧美亚洲日韩欧洲不卡